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刘先生 
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PESD12VS1UL
NXP（恩智浦）
SOD882
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
反向特性：二极管外加反向偏置电压时的V-I特性
P型半导体中的少数载流子（电子）和N型半导体中的少数载流子（空穴），在反向电压作用下很容易通过PN结， 形成反向饱和电流。但由于少数载流子的数目很少， 所以， 一般硅管的反向电流比锗管小得多，其数量级为：硅管nA级，锗管大mA级。
温度升高时，由于少数载流子增加，反向电流将随之急剧增加。
过去，硅TVS器件由于电容高，在保护低压高速信号线路方面存在劣势。然而，近年来的技术进步消除了这种不利因素。安森美半导体的新产品ESD9L5.0将硅器件保护的优势与高速应用要求的低电容结合在一起。这个产品的特性就像一个简单的齐纳二极管。事实上，ESD9L5.0包含一个击穿电压低的齐纳二极管和一对击穿电压高(因而电容小)的标准二极管。
特点
ESD保护化传输差分信号（TMDS）信道保护四个I / O线
每一行提供ESD保护IEC61000-4-2（ESD）±15kV（空气），±10kV的（接触）
IEC61000-4-5（闪电）3.5A（8/20μS）
工作电压为5V及以下
超低电容：典型值为0.5pF
快速的开启和低钳位电压
内部的ESD二极管阵列
相当于TVS（瞬态电压抑制）二极管
简化布局HDMI连接器
固态硅雪崩和有源电路触发技术绿色部分
