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TVS二极管
如今大多数的二极管都是采用硅制造的固态器件。它们为双端器件,很容易让一个方向上的电流流过,但在相反方向上,它们呈现高阻抗,直到两端电压达到击穿电压。二极管本质上为单向器件,保护方式为电压箝位。
二极管的特性取决于N区与P区的掺杂程度,这两个区离结点的距离远近不同。调节掺杂程度能构建反向偏置击穿电压在几百伏到仅几伏之间的二极管。设计有明确定义的反向偏置击穿电压的二极管,通常称作齐纳二极管。
对应力有不对称敏感度的电路节点,可能需要只有TVS二极管产品才能提供的单向保护。高速应用要求非常低的电容,这使得使聚合物器件具有吸引力。聚合物器件可以满足对低电容和保护能力的要求。为了让聚合物TVS产品可以用在高速应用中,高速节点需要在瞬态高压下工作以导通聚合物TVS,并在导通模式下提供中等阻抗。